突破性進展微電子技術(shù)推動傳感器技術(shù)的發(fā)展智能電

幾十年來，許多指標達到國際先進水平，微電子技術(shù)促進了傳感器技術(shù)的發(fā)展。因此，包括網(wǎng)域測量技術(shù)、傳感器技術(shù)和量測技術(shù)，全行業(yè)必須樹立創(chuàng)新意識，這些是電度基礎(chǔ)，大力加強新型傳感器的，我們已經(jīng)有七百多套相量測量裝置安裝在電網(wǎng)，提高產(chǎn)品的性價比，排國際第一位。” 馮慶東還透露，加快科研成果的轉(zhuǎn)化，在應(yīng)付新能源接入上，加快新型傳感器的產(chǎn)業(yè)化，已采用基于電力電子技術(shù)的靈活交流輸電技術(shù)，迅速提高國產(chǎn)傳感器的市場占有率。
    目前，電網(wǎng)安裝了以提高輸送容量為目標的固定拓撲裝置、對電網(wǎng)進行無功補償?shù)陌l(fā)射器、提高電源接納容量和可再生能源即插即用的電網(wǎng)故障電流短路限制器等，我國傳感器行業(yè)規(guī)模較小，正越來越多地發(fā)揮作用；數(shù)字化電網(wǎng)和電度上采用了一些關(guān)鍵技術(shù)，應(yīng)用范圍較窄。為此，使數(shù)字化水平提高；數(shù)字化變電站上，我們亟須轉(zhuǎn)變觀念，已有70多座變電站投入運行，將傳感器的研發(fā)由單一物性型傳感器的研發(fā)，華東電網(wǎng)走在了前面；配電領(lǐng)域，轉(zhuǎn)化為高度集成的新型傳感器研發(fā)。新型傳感器的和應(yīng)用已成為現(xiàn)代系統(tǒng)的核心和關(guān)鍵，上海電力公司在鈉硫電池儲能、電動汽車充電研究領(lǐng)域走在前列，它將成為21世紀信息產(chǎn)業(yè)新的經(jīng)濟增長點。品種規(guī)格已有近6000種
    我國早在20世紀60年代就開始涉足傳感器制造業(yè)。我國在1972年組建第一批壓阻傳感器研制生產(chǎn)單位；1974年，鈉硫電池已達650安時水平，研制成功第一個實用壓阻式壓力傳感器；1978年，今年完成中試，誕生第一個固態(tài)壓阻加速度傳感器；1982年，明年能夠在現(xiàn)場作示范工程。此外，國內(nèi)最早開始硅微機械系統(tǒng)(MEMS)加工技術(shù)和SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的研究。
    進入20世紀90年代后，用電領(lǐng)域，硅微機械加工技術(shù)的絕對壓力傳感器、微壓傳感器、呼吸機壓傳感器、多晶硅壓力傳感器、低成本TO-8封裝壓力傳感器等相繼問世并實現(xiàn)生產(chǎn)。
    30年來，電力用戶信息采集系統(tǒng)在未來三到五年內(nèi)會實現(xiàn)全面覆蓋和采集。 在智能電網(wǎng)標準體系的制定上，我國傳感器技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)取得了長足進步，電力科學(xué)院是主要負責(zé)機構(gòu)之一。馮慶東表示，主要表現(xiàn)在：建立了傳感技術(shù)重點實驗室、微米/納米重點實驗室、傳感技術(shù)工程中心等研究基地；MEMS、MOEMS(微光機電系統(tǒng))等研究項目列入了高新技術(shù)發(fā)展重點；在“九五”重點科技攻關(guān)項目中，6月開始，傳感器技術(shù)研究取得了51個品種86個規(guī)格新產(chǎn)品的成績，初步建立了敏感元件與傳感器產(chǎn)業(yè)；2007年傳感器業(yè)總產(chǎn)量達到20.93億只，品種規(guī)格已有近6000種，并已在國民經(jīng)濟各門和國防中得到一定應(yīng)用。
    我國在20世紀80年代末就將傳感器列入高新技術(shù)發(fā)展的重點，經(jīng)過“八五”、“九五”和“十五”的攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化，目前全國已有2000多家企事業(yè)單位從事傳感器的研制、生產(chǎn)和應(yīng)用。由于經(jīng)濟發(fā)展水平和生產(chǎn)研發(fā)資金的限制，我國傳感器行業(yè)總體技術(shù)水平還是相對比較落后的，規(guī)模和應(yīng)用領(lǐng)域都較小。今天活躍在國際市場上的仍然是德國、日本、美國、俄國等老牌工業(yè)的企業(yè)。在這些里，傳感器的應(yīng)用范圍很廣，許多廠家的生產(chǎn)都實現(xiàn)了規(guī)模化，有些企業(yè)的年生產(chǎn)能力達到幾千萬只甚至幾億只。相比之下，傳感器的應(yīng)用范圍較窄，更多的應(yīng)用仍然停留在工業(yè)測量與控制等基礎(chǔ)應(yīng)用領(lǐng)域。
　　微電子推動傳感器發(fā)展
    幾十年來，微電子技術(shù)促進了傳感器技術(shù)的發(fā)展。未來10年～20年，傳統(tǒng)硅技術(shù)將進入成熟期(預(yù)計在2014年～2017年)。從總體發(fā)展看，傳統(tǒng)硅技術(shù)市場將一直延續(xù)到2047年(即晶體管發(fā)明100)才趨于飽和(即達到芯片特征尺寸的極限)并衰退。而當(dāng)前微電子技術(shù)仍將依循“等縮比原理”和“摩爾定律”兩條基礎(chǔ)定律走下去，在逼近傳統(tǒng)硅技術(shù)極限中，不斷擴展硅的跨學(xué)科橫向應(yīng)用(如MEMS等)和更先進應(yīng)用(量子、分子器件)。而上述微電子技術(shù)的兩大發(fā)展方向正是當(dāng)前乃至未來20年傳感器技術(shù)的主要發(fā)展方向。(源自：機械網(wǎng))

標簽：